机译:用100keV Au离子照射磷化铟的RBS和TEM研究
机译:通过内部摩擦技术测量的由于电子和中子辐照引起的初始损伤率的比较。三,中子能量依赖性(67 keV至1 MeV)
机译:100 keV Ar〜+离子辐照在半绝缘InP上形成自组织纳米结构
机译:高Tc超导体中高能(> 100MeV)重离子辐照损伤的结构
机译:通过使用原位TEM的泡沫成核和生长,通过原位TEM:顺序他植入和重离子照射与双光束辐射
机译:低能离子辐照下InP表面上自组织的纳米点结构:形态和组成分析
机译:用100keV金离子辐照的磷化铟的RBs和TEm研究